Carbura de siliciu (SIC) este o ceramică structurală de înaltă performanță pentru temperaturi ridicate, renumită pentru proprietățile sale excepționale, inclusiv rezistență ridicată, duritate ridicată, conductivitate termică ridicată, coeficient scăzut de expansiune termică, precum și rezistență excelentă la oxidare, rezistență la coroziune și rezistență la uzură . aceste atribute o fac pe scară largă pe scară largă în ceea ce privește numeroase numeroase. Sectoare .
However, SiC is a material characterized by strong covalent bonding. During sintering, atomic diffusion rates are exceedingly low, and both grain boundary sliding resistance and thermal stability are high. Consequently, achieving densification typically necessitates the use of sintering aids or specialized sintering techniques such as hot isostatic pressing (HIP), pressureless sintering, or reacție Sintering .
Carbură de siliciu legată de reacție (RBSC), în special, a fost inventată inițial de Popper la British Ceramic Research Association (BCRA) în anii 1950 . Principiul fundamental implică infiltrarea unui siliciu lichid sau aliaj de silicon, condus de forțele capilare, într-un silic de carbon de carbon, condus de forțele capilare, într-un silic de carbon de carbon, condus de forțe de carbon de carbon lichid { reacts with the carbon within the body to form new silicon carbide. This newly formed silicon carbide bonds *in situ* with the original silicon carbide particles present in the green body. Simultaneously, the infiltrant fills the remaining pores within the body, thereby completing the densification process.
Compared to other SiC ceramic fabrication processes, RBSC offers distinct advantages: lower sintering temperatures, near-net-shape forming capability, high strength at elevated temperatures, dimensional stability under high-temperature use, high thermal conductivity, oxidation resistance, good chemical stability, and exceptionally long service life. As a result, RBSC has found extensive application in various high-tech fields demanding high-temperature Stabilitate .
În ultimul deceniu, extinderea rapidă a industriei fotovoltaice a determinat o creștere substanțială a cererii de piață pentru ceramica de carbură de siliciu legată de reacție (RB-SIC) . în mod corespunzător, atât numărul și scala de producție a producătorilor interni RB-SIC din China au arătat o creștere anuală constantă .}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}} {
De-a lungul anilor de validare industrială, tehnologia RB-SIC s-a dovedit deosebit de reușită în fabricarea componentelor ceramice critice pentru linii de producție de celule fotovoltaice de generație a doua (2G) și generația 2 . 5 (2,5g).
Since the second half of 2023, intensified competition among suppliers of reaction-bonded silicon carbide (RB-SiC) to the photovoltaic (PV) industry has emerged, driven by fluctuations in the international environment and market demand. Under such circumstances, RB-SiC manufacturers must prioritize enhancing their product quality and continuously improving competitiveness to secure survival and growth through core technological avantaje .
În mod concomitent, avansarea rapidă a circuitelor integrate (IC) (IC), dispozitive discrete, dispozitive optoelectronice și senzori, a alimentat o creștere semnificativă a valorii de piață a carburii de silicon de precizie (sic) ceramică . Acest chirurg atrage atenția considerabilă a investitorilor . Precis SIC CERAMICS ATENȚIE CRITICE INGRIGENT {{3 { Fabricarea semiconductorului, utilizată atât pe nodurile de proces matur, cât și pe cele avansate .
Cu toate acestea, oferta acestor componente de înaltă valoare rămâne dominată de un număr limitat de companii străine . orele de plumb proeminetate și prețurile prohibitiv ridicate împiedică nevoia urgentă de dezvoltare de înaltă calitate în rândul producătorilor de cipuri interne . Prin urmare, localizarea (substituirea importului) rămâne accentul principal pentru jucătorii din industrie care se străduiesc să depășească aceste provocări ale lanțului de aprovizionare {{4
