Carbura de siliciu (SiC) este un material de bază al semiconductorilor compuși de a treia generație. Cu proprietăți fizice, cum ar fi câmp electric de defalcare mare, conductivitate termică ridicată și bandgap mare, acesta depășește plafonul de performanță al dispozitivelor de alimentare tradiționale pe bază de siliciu și este o componentă de bază pentru scenarii de înaltă tensiune și de mare putere, cum ar fi vehicule cu energie noi, surse de energie de calcul AI, stocare de energie fotovoltaică și tranzit feroviar. În 2025, industria a experimentat supracapacitate și compensare profundă prin războaiele prețurilor. Începând cu trimestrul al patrulea din 2025, industria introduce un punct de inflexiune structurală. Substraturile și dispozitivele de înaltă calitate de calitate auto și AI power-grade intră într-un ciclu de penurie, în timp ce furnizarea de produse de uz general low-end rămâne slabă, arătând o diferențiere structurală evidentă în industrie. Piața globală menține o rată de creștere compusă ridicată pe termen lung, vehiculele cu energie noi ca bază fundamentală și infrastructura de calcul AI devenind a doua curbă de creștere. Lanțul industrial autohton a atins progrese extraordinare în segmentul de substrat, lider la nivel global în cota de piață a substraturilor de 8 inchi, în timp ce segmentele de epitaxie, dispozitive și module continuă să avanseze înlocuirea internă. Cu toate acestea, certificarea de calitate auto, randamentul, costul și barierele de brevetare rămân deficiențe principale.
I. Prezentare generală a industriei: Principiile de bază ale carburei de siliciu (SiC) și ale structurii lanțului industrial
1.1 Proprietățile materialului și valoarea de aplicare a carburii de siliciu
Carbura de siliciu (SiC) este un material semiconductor compus compus din siliciu și carbon, aparținând semiconductorilor cu bandă interzisă de a treia generație. În comparație cu materialele tradiționale din siliciu (Si), are trei avantaje principale: puterea câmpului electric de defalcare este de aproximativ 3 ori mai mare decât cea a siliciului, suportând niveluri de tensiune mai ridicate; conductivitatea termică este de aproximativ 3 ori mai mare decât cea a siliciului, îmbunătățind semnificativ capacitatea de disipare a căldurii; iar pierderile de comutare sunt mai mici cu o rezistență mai puternică la temperatură ridicată. În scenariile de conversie a puterii de înaltă tensiune și putere mare, dispozitivele de putere SiC pot reduce pierderile de sistem, pot micșora disiparea căldurii și volumul și pot îmbunătăți eficiența conversiei energiei, făcându-le materialul de bază pentru tranziția energetică și infrastructura de calcul.
IGBT-urile tradiționale pe bază de siliciu (Insulated Gate Bipolar Tranzistors) au deficiențe proeminente în pierderi și disipare a căldurii în platforme de înaltă tensiune de 800V și mai sus, în timp ce MOSFET-urile SiC (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tranzistors) sunt în mod natural potrivite pentru 800V platforma de înaltă tensiune, astfel încât noua alegere de energie înaltă pentru vehicule de înaltă tensiune. platforme. Pe lângă dispozitivele de alimentare, SiC poate fi folosit și în direcții emergente, cum ar fi dispozitivele RF și substraturile avansate de disipare a căldurii, deschizând spațiu pe piață mai mare.
1.2 Structura lanțului industrial
Lanțul industrial SiC este împărțit în trei segmente majore: substraturi din amonte și epitaxie; producție de cipuri midstream, dispozitive și module de putere; și aplicații în aval. Substraturile sunt segmentul cu cea mai mare valoare și cele mai puternice bariere tehnice din întregul lanț industrial, reprezentând aproximativ 47% din costul total al dispozitivului și reprezintă punctul central al concurenței din industrie.
1. În amonte: Substraturi + Epitaxie
Substraturi SiC: împărțite în tip conductiv (dispozitive de putere, vehicule cu energie nouă, stocare de energie, surse de alimentare AI) și tip semi-izolant (dispozitive RF). Dimensiunea mainstream este de 6 inchi, industria iterează spre 8 inci, iar 12 inci a intrat în etapa de verificare a eșantionului. Dimensiunile mai mari reprezintă calea de bază către reducerea costurilor. Suprafața substraturilor de 8 inchi este cu 78% mai mare decât a substraturilor de 6 inci, numărul de tăiere cu matriță per plachetă crește de aproximativ 1,8 până la 2 ori, pierderea marginilor este redusă, iar costul per plachetă scade cu aproximativ 35%. Dificultățile de bază în pregătirea substratului constau în randamentul de creștere a cristalelor, controlul defectelor și scalarea dimensiunii. Cuptoarele de creștere a cristalului, echipamentele de tăiere, șlefuire și lustruire sunt cheltuieli de capital de bază.
Plachete epitaxiale: Straturile epitaxiale sunt crescute pe substraturi prin echipamente MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). Performanța dispozitivului este determinată de calitatea stratului epitaxial și aceasta este o legătură cheie care conectează substraturile și fabricarea cipurilor.
2. Midstream: producție de cipuri, dispozitive, module de putere
Pe plachetele epitaxiale de SiC, procesele semiconductoare precum litografia, gravarea și implantarea ionică sunt finalizate pentru a pregăti cipuri precum MOSFET-uri și SBD-uri (diode de barieră Schottky); acestea sunt apoi împachetate în module de putere și furnizate direct producătorilor din aval. Companiile IDM (Integrated Device Manufacturer) de peste mări (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) acoperă în mare parte întregul lanț de la substrat la epitaxie, la dispozitive la module; Întreprinderile autohtone adoptă mai des un model de diviziune a muncii, cu companii de substrat, fabrici de epitaxie și companii de proiectare și ambalare a dispozitivelor care se dezvoltă independent, în timp ce unele întreprinderi se extind în sus în amonte布局.
3. Aplicații în aval
Vehiculele cu energie noi sunt calea principală (invertor principal, OBC la bord, DC-DC, pile de încărcare la bord); urmate de invertoare fotovoltaice, convertoare de stocare a energiei, surse de alimentare industriale, surse de alimentare de înaltă tensiune pentru server AI, tranzit feroviar, rețele de înaltă tensiune și infrastructură de încărcare rapidă; direcția de frontieră este ambalarea avansată a substraturilor de disipare a căldurii pentru cipuri de calcul AI.
II. Statutul industriei SiC la nivel global și intern
2.1 Privire generală asupra dimensiunii și creșterii pieței
Piața globală a dispozitivelor de alimentare SiC continuă să crească rapid. În 2025, dimensiunea pieței globale a dispozitivelor de alimentare SiC este de aproximativ 40,691 miliarde RMB. Instituțiile prevăd o rată de creștere compusă de 20,5% din 2026 până în 2032, cu dimensiunea pieței atingând 147,968 miliarde RMB până în 2032. Open Source Securities prezice că dimensiunea pieței globale de SiC va ajunge la 12,4 miliarde USD până în 2030, infrastructura AI contribuind cu aproape jumătate din noua structură de creștere a energiei, bazat pe aproape jumătate din noua structură de creștere a energiei.
Din perspectiva structurii cererii, vehiculele cu energie noi reprezintă în prezent aproximativ 61% din veniturile din dispozitive SiC și reprezintă cea mai mare piață de aplicații. Creșterea pătrunderii modelelor cu platforme de înaltă tensiune de 800 V crește direct conținutul de SiC per vehicul; Sursele de alimentare ale serverelor AI și încărcarea de stocare fotovoltaică sunt a doua curbă de creștere. În trecut, piața a definit în general SiC ca un material pentru calea vehiculelor cu energie nouă. Logica actuală a industriei a trecut la modelul cu trei drivere de „vehicule cu energie nouă + putere de calcul AI + stocare de energie nouă”.
2.2 Modelul cerere-ofertă: compensare profundă în 2025, deficit structural în 2026
Din 2021 până în 2024, cantități mari de capital intern au fost turnate în calea SiC și un număr mare de proiecte de substrat de 6 inci au fost lansate în mod concentrat. Capacitatea industriei sa extins rapid. Combinată cu cererea periodică care nu corespunde așteptărilor în industria vehiculelor cu energie nouă în 2025, industria a intrat în războaie aprige ale prețurilor. Prețurile substraturilor low-end și dispozitivelor de uz general au scăzut brusc, mulți producători mici și mijlocii au suferit pierderi, iar industria a intrat într-un ciclu de compensare a capacității. Utilizarea capacității low-end a scăzut semnificativ, iar unii producători au părăsit piața.
Începând cu al patrulea trimestru al anului 2025, modelul cerere-oferta s-a inversat, dar acesta nu a fost un deficit global de aprovizionare, ci mai degrabă o penurie structurală: (1) Furnizarea de substraturi conductoare de înaltă calitate, epitaxie și module MOSFET de calitate auto și AI de înaltă calitate este redusă. Utilizarea capacității producătorilor de top de substrat a revenit la peste 90%, prețurile substraturilor de 6 inchi au scăzut și au revenit, iar prețurile substraturilor de 8 inchi au încetat să scadă și au crescut; Producătorii de IDM de peste mări Infineon și STMicroelectronics, precum și companiile autohtone, precum Yangjie Technology, au ridicat succesiv cotațiile dispozitivelor. Termenele de livrare pentru dispozitivele SiC pentru sursele de alimentare pentru servere AI s-au prelungit la aproximativ 30 de săptămâni, cu prețuri în creștere cu peste 15% față de sfârșitul anului 2025. (2) Furnizarea de substraturi low-end cu indicatori de defecte scazuți care nu pot trece de certificare auto și dispozitive industriale cu specificații de uz general rămâne în exces, iar prețurile continuă să fie sub presiune.
Rezultatul de bază al acestei runde de remaniere a industriei: concurența din industrie a trecut de la simpla concurență la scară de capacitate la o competiție cuprinzătoare de capacitate în randament, controlul defectelor, certificare de calitate auto, livrare stabilă și control al costurilor. Concentrarea industriei continuă să crească, iar întreprinderile de vârf beneficiază.
2.3 Peisajul competitiv global
Giganții tradiționali de peste mări au avantaje de primire și adoptă în principal modelul IDM: Wolfspeed (Statele Unite ale Americii, fost Cree), ROHM (Japonia), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) și onsemi. Producătorii de peste mări au acumulare profundă în brevetele de substrat, certificarea clienților de calitate auto, procesele dispozitivelor și ambalarea modulelor și au ocupat de mult timp cota principală a pieței globale a dispozitivelor de alimentare.
Întreprinderile autohtone au realizat progrese majore în segmentul substratului. În 2025, întreprinderile autohtone au atins liderul global în domeniul substraturilor conductoare. Cota de piață globală a Tianyue Advanced a substraturilor SiC de 8 inchi a depășit 50%, iar cota sa globală de substraturi conductoare de 6 inchi s-a clasat pe primul loc. Tianyue Advanced și Tianke Heda dețin împreună o cotă de piață a substraturilor conductoare care o depășește pe cea a Wolfspeed. Aprovizionarea Chinei cu substrat SiC reprezintă aproximativ 50% din totalul global și a intrat în primul nivel global. Segmentele de epitaxie, dispozitive și module interne sunt încă în faza de recuperare. Producătorii autohtoni de dispozitive încă rămân în urma liderilor de peste mări în certificarea auto, fiabilitate și capacitatea stabilă de livrare a loturilor. Primii cinci producători de pe piața internă a dispozitivelor de alimentare ocupă împreună 70,4% cotă de piață, primii trei fiind toți întreprinderi de peste mări, în timp ce producătorii autohtoni dețin încă o cotă de piață relativ scăzută.
Întreprinderi reprezentative în fiecare segment al lanțului industrial intern: (1) Substraturi: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Epitaxie: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) Dispozitive/Module: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) Echipamente din amonte: Jingsheng Mechanical & Electrical (cuptoare de creștere a cristalului), Jingsheng Equipment, AMEC (echipament de epitaxie MOCVD).
2.4 Mediul politic intern
Fiind o pistă cheie a semiconductorilor de a treia generație și a noilor forțe productive de calitate, carbura de siliciu aparține direcției strategice a autonomiei și controlabilității semiconductoarelor interne. „Planul cincinal al 14-lea” și „Planul cincinal al 15-lea” la nivel național continuă să sprijine industrializarea materialelor și dispozitivelor semiconductoare de a treia generație, iar multe localități au înființat fonduri industriale speciale pentru a oferi subvenții pentru construcția liniilor de producție, investițiile în cercetare și dezvoltare și proiectele de industrializare. În același timp, politicile industriale interne pentru vehicule cu energie nouă, stocarea energiei fotovoltaice și infrastructura de calcul conduc indirect cererea de SiC în aval. Dividendele politicii accelerează verificarea și introducerea lanțurilor de aprovizionare interne, dar subvențiile din industrie trec treptat de la subvențiile de capacitate la indicatori de înaltă calitate, cum ar fi cercetarea și dezvoltarea, îmbunătățirea randamentului și certificarea auto.
III. Analiza cererii în aval: trei piste majore de conducere, logica de creștere restructurată
3.1 Noile vehicule energetice: baza fundamentală a industriei, platformele de 800 V cresc valoarea pe vehicul
Vehiculele cu energie noi rămân cea mai mare sursă de cerere de SiC. Platformele tradiționale de 400 V sunt dominate de IGBT-uri pe bază de siliciu; Platformele de înaltă tensiune de 800 V au avantaje precum încărcarea rapidă, reducerea greutății și o gamă îmbunătățită, iar MOSFET-urile SiC au devenit soluția principală. Dispozitivele SiC sunt utilizate în componente precum invertorul principal, OBC la bord, DC-DC și încărcătorul la bord, iar valoarea SiC pentru fiecare vehicul este semnificativ mai mare decât cea a soluțiilor pe bază de siliciu de 400 V.
Producătorii mondiali de automobile precum Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen și Mercedes-Benz continuă să introducă soluții SiC în modelele de ultimă generație. Pe măsură ce modelele cu platformă de 800V se scufundă în modelele de gamă medie, penetrarea SiC va continua să crească. Pe termen scurt, industria vehiculelor cu energie nouă se confruntă cu presiunea fluctuației vânzărilor, dar tendința de electrificare pe termen mediu și lung este sigură. Pătrunderea în creștere a platformelor de 800 V este o linie principală 确定性 care generează continuu cererea de dispozitive SiC.
3.2 Surse de alimentare pentru centrele de date AI: a doua curbă de creștere, remodelarea plafonului industriei
Clusterele de calcul cu modele mari de AI necesită surse de alimentare masive pentru server, iar modernizarea arhitecturilor de alimentare de înaltă tensiune a serverelor AI creează o cerere substanțială de SiC. Sursele de alimentare tradiționale ale serverelor sunt dominate de dispozitivele pe bază de siliciu. Sursele de alimentare AI de mare putere, de înaltă densitate impun cerințe mai mari privind pierderile, disiparea căldurii și densitatea puterii. Dispozitivele SiC pot reduce semnificativ pierderile de alimentare, pot reduce volumul sursei de alimentare și pot reduce presiunea de disipare a căldurii. Open Source Securities prezice că până în 2030, infrastructura AI va contribui cu aproape jumătate din cererea pieței SiC, devenind cea mai importantă sursă incrementală a industriei.
Direcție de frontieră: SiC ca substrat cu conductivitate termică ridicată pentru ambalarea avansată CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), utilizat pentru disiparea căldurii HBM (High Bandwidth Memory) care suportă cipuri de calcul. Dacă se realizează industrializarea, SiC se va extinde de la un material pentru dispozitive de putere la un material funcțional pentru ambalaje avansate, crescând foarte mult valoarea pe cip și deschizând un spațiu de piață complet nou. Cu toate acestea, această direcție se află încă în etapa de verificare a eșantionului de client, iar industrializarea poartă incertitudine.
3.3 Stocarea energiei fotovoltaice, industrie și tranzit feroviar: Creștere stabilă
Instalațiile globale fotovoltaice și de stocare a energiei continuă să crească. Invertoarele centralizate, invertoarele șir și PC-urile de stocare a energiei trec treptat de la soluții pe bază de siliciu la soluții SiC, îmbunătățind densitatea puterii invertorului și eficiența conversiei. Motoarele industriale, sursele de alimentare de înaltă tensiune, tranzitul feroviar și transportul la rețea de înaltă tensiune sunt cerințe stabile pe termen mediu și lung, caracterizate prin cicluri lungi de certificare, comenzi stabile și cicluri de viață lungi, cu cerințe extrem de ridicate pentru fiabilitatea dispozitivului.
IV. Calea de iterare a tehnologiei și prognoza dezvoltării pe termen mediu și lung
4.1 Pe termen scurt (2026-2028): implementare la scară largă de 8 inchi, îmbunătățire a randamentului + reducere a costurilor, certificare accelerată de calitate auto
În următorii 2-3 ani, linia principală a industriei de bază va fi optimizarea capacității de 6 inchi și accelerarea la scară largă a liniilor de producție de substrat, epitaxie și dispozitive de 8 inchi. 8 inchi este dimensiunea curentă a industriei pentru următorii 3-5 ani. Producătorii interni de top de substrat vor continua să extindă liniile de producție de 8 inchi pentru a reduce costul per-plachetă.
Contradicția de bază din industrie a trecut de la „dacă există capacitate” la „îmbunătățirea randamentului, controlul defectelor și aterizarea desemnărilor clienților de calitate auto”. Un număr mare de întreprinderi de dispozitive autohtone accelerează AEC-Q100 certificarea de calitate auto pentru producătorii de automobile, stocarea energiei și clienții surselor de energie AI. Pe măsură ce randamentul continuă să se îmbunătățească, costurile unitare ale dispozitivelor SiC continuă să scadă, conducând la pătrunderea SiC de la modele high-end la modele de gamă medie și de la surse de alimentare high-end la surse de alimentare industriale generale.
Partea ofertei: după compensarea capacității în 2025, ritmul de extindere a noii capacități încetinește, iar ritmul de lansare a noii capacități este mai mic decât creșterea cererii. Produsele de înaltă calitate de calitate auto mențin un model strâns, iar industria intră într-un ciclu de creștere a volumului și a prețurilor; substraturile low-end și dispozitivele de uz general continuă să se confrunte cu concurența, iar producătorii mici și mijlocii care nu au randament și certificarea clienților continuă să fie eliminate, crescând și mai mult concentrarea industriei.
4.2 Pe termen mediu (2029-2032): 8 inci devine curentul absolut absolut, 12 inci începe industrializarea, înlocuirea domestică intră în zona de apă adâncă
Randamentul liniei de producție de 8 inchi continuă să se optimizeze, costurile scad semnificativ, iar penetrarea SiC în vehiculele cu energie noi, stocarea energiei și sursele de alimentare AI crește substanțial. Segmentul de substrat intern menține competitivitatea globală; înlocuirea internă în segmentele de epitaxie, dispozitive și module se accelerează, iar producătorii autohtoni de IDM intră treptat în lanțurile de aprovizionare ale producătorilor de automobile și producătorilor de surse de calcul de renume.
Substraturile SiC de 12 inchi intră în etapa de verificare a industrializării. Companii precum Tianyue Advanced au trimis deja mostre de produse de 12 inchi, vizând substraturi avansate de disipare a căldurii din ambalaje și scenarii de dispozitive de ultra-înaltă putere. 12 inchi diluează și mai mult costul per-plachetă, dar investițiile în echipamente și dificultatea procesului sunt mai mari, iar ritmul de industrializare este mai lent decât cel de 8 inchi.
Piața globală se extinde rapid, iar ponderea contribuției incrementale a surselor de energie de calcul AI continuă să crească. Creșterea pieței SiC nu mai depinde în totalitate de fluctuațiile ciclului vehiculelor cu energie nouă, iar mai multe scenarii din aval acoperă riscul ciclului unei singure industrii.
4.3 Pe termen lung (după 2032): tehnologia se maturizează, costurile scad brusc, intră în etapa de popularizare la scară largă
Costurile dispozitivelor SiC continuă să scadă, înlocuind treptat dispozitivele de alimentare pe bază de siliciu în mai multe scenarii de tensiune medie și joasă, scenariile de aplicație extinzându-se la aparatele de uz casnic și sursele de alimentare de la consumatori. 12-substraturile SiC în inchi realizează o producție de masă la scară largă. Peisajul lanțului industrial global tinde spre stabilitate, iar China formează un ecosistem industrial SiC complet, controlabil autonom, cu competitivitate globală de-a lungul întregului lanț, de la substraturi, echipamente, epitaxie și cipuri până la module. În același timp, există o concurență potențială pe rutele tehnologice. Materialele cu bandă interzisă de nouă generație, cum ar fi oxidul de galiu (Ga₂O₃) reprezintă potențiale amenințări de substituție în scenarii specifice de înaltă tensiune, dar pe termen mediu și lung este puțin probabil ca acestea să răstoarne poziția principală a SiC în semiconductori de putere.
V. Logica de investiții și selecția pistei (perspectivă de investiții în industrie/acțiuni)
Pista SiC este o pistă de verificare intensivă în capital, tehnologică și cu ciclu lung. Investițiile nu pot privi pur și simplu scara capacității; nucleul constă în randament, indicatorii de defect, certificarea clienților, fluxul de numerar și curba costurilor. După remanierea industriei din 2025, logica investițiilor s-a mutat de la „extinderea capacității” la „bariere tehnice + bariere pentru clienți”.
5.1 Analiza priorităților investiționale pe segmentul lanțului industrial
1. Segmentul de substrat din amonte: prioritizează întreprinderile de substrat conductiv cu randament ridicat de calitate auto
Substraturile sunt segmentul cu cea mai mare valoare și cele mai puternice bariere din întreg lanțul industrial și singurul segment în care China a atins liderul global. Indicatori de bază de investiții: randamentul substratului conductiv, densitatea defectelor de microțevi, capacitatea de producție în masă de 8 inchi, certificarea clienților și capacitatea echipamentului intern de creștere a cristalelor. Întreprinderile de substrat care pot produce doar produse cu indicatori de defecte reduse și nu pot intra în lanțurile de aprovizionare de calitate auto au profitabilitate slabă pe termen lung și sunt ținte cu risc ridicat. Echipamentele de creștere, tăiere, șlefuire și lustruire a cristalelor din amonte oferă oportunități de înlocuire pe piața internă, iar producătorii de echipamente beneficiază de extinderea continuă a liniilor de producție de substrat domestic.
2. Segmentul de epitaxie: concentrează-te pe întreprinderile de epitaxie cu aprovizionare stabilă în loturi și compatibilitate cu MOSFET-uri de calitate auto
Calitatea epitaxiei determină în mod direct fiabilitatea dispozitivului, iar epitaxia de calitate auto are bariere tehnice ridicate. Plantele de epitaxie au nevoie de o colaborare profundă cu plantele de substrat și plantele de dispozitive. Întreprinderile cu grosime stabilă a stratului epitaxial și capabilități de control al dopajului au valoare pe termen lung.
3. Dispozitive midstream și module de putere: concentrare pe desemnările de calitate auto, verificarea fiabilității și capacitățile de ambalare
Segmentul de dispozitive are cel mai adânc șanț pentru giganții de peste mări, cu cicluri lungi de certificare (certificarea producătorului auto durează de obicei 2-3 ani). Investițiile ar trebui să acorde prioritate întreprinderilor care au obținut deja desemnări de la producătorii auto de top, clienții de surse de energie AI și de stocare a energiei și care dețin certificare AEC-Q100; Ambalarea modulelor de putere este un punct slab intern, iar procesele de ambalare de înaltă fiabilitate și tehnologiile avansate de ambalare, cum ar fi sinterizarea argintului, oferă oportunități de investiții. Întreprinderile fabuloase, cu un design pur și fără linii de producție proprietare, se confruntă cu riscuri din cauza aprovizionării cu substrat și a fluctuațiilor procesului.
4. Sfârșitul aplicației din aval: concentrare pe întreprinderile de alimentare cu energie și control electronic cu capabilități de proiectare a sistemului de soluții SiC
Valoarea producătorilor de sisteme nu constă numai în achiziționarea de dispozitive, ci și în posesia capacităților de aplicare a sistemului, de disipare a căldurii și de algoritm de control pentru dispozitivele SiC, care pot maximiza avantajele eficienței SiC. Acordați prioritate întreprinderilor de top în controlul electronic de 800 V, surse de alimentare pentru servere AI și PCS de stocare a energiei.
5.2 Strategii de investiții
Investiție primară în capitaluri proprii: acordați prioritate aspectului în segmente cu barieră înaltă, cum ar fi substraturi, echipamente din amonte, epitaxie de calitate auto și module de putere; evitați proiectele cu substraturi de ultimă generație care se bazează doar pe prețuri mici și randamente scăzute. Acordați prioritate întreprinderilor care au finalizat livrarea mostrelor și verificarea desemnării cu clienți de top și au investiții susținute în cercetare și dezvoltare; fiți precauți cu privire la proiectele care nu au intrat încă în verificarea clienților și rămân doar la etapa de eșantionare.
Investiție industrială: Potrivit pentru integrarea verticală a lanțului industrial. Producătorii de automobile, întreprinderile de stocare a energiei și de alimentare cu energie de calcul pot bloca capacitatea de substrat și epitaxie în amonte pentru a asigura securitatea lanțului de aprovizionare și pentru a se proteja împotriva riscurilor de întrerupere a lanțului de aprovizionare din străinătate.
Accentul de evaluare: industria se află într-un ciclu de expansiune, iar întreprinderile au, în general, cheltuieli de capital inițiale ridicate și o rentabilitate în urmă. Evaluarea PE nu poate fi utilizată simplist; concentrați-vă pe urmărirea progresului de creștere a randamentului, a costului unitar al plăcilor, a comenzilor de desemnare a clienților, a utilizării capacității și a fluxului de numerar.
VI. Avertismente privind riscurile principale ale industriei
6.1 Riscul ca cererea din aval să nu corespundă așteptărilor
Dacă vânzările de vehicule cu energie noi și penetrarea modelului de 800V scad sub așteptări, cererea de SiC va fi direct redusă; dacă cheltuielile de capital pentru serverele AI se contractă temporar, creșterea cererii de alimentare cu AI va încetini. Cererea industriei SiC este strâns legată de cele două industrii ciclice majore, cu cheltuieli de capital grele, ale energiei noi și puterii de calcul, și există un risc de fluctuație ciclică.
6.2 Tehnologie și risc de randament
Procesele de creștere și epitaxie a cristalelor de SiC sunt dificile. Progresul de îmbunătățire a randamentului care nu corespunde așteptărilor va continua să crească costurile; dificultatea de creștere a liniilor de producție de dimensiuni mari de 8 și 12 inci poate fi mai mare decât se aștepta; Descoperirile tehnologice în alte materiale cu bandă interzisă largă, cum ar fi oxidul de galiu, pot crea risc de înlocuire.
6.3 Concurența la prețuri și riscul de deteriorare a profitului
Deși produsele de calitate auto se află în prezent într-o penurie structurală, dacă un număr mare de substraturi de 8 inchi sunt puse în producție în mod concentrat în următorii 2-3 ani, industria poate intra din nou în ofertă excesivă, declanșând o nouă rundă de războaie ale prețurilor, comprimând marjele brute ale companiilor și determinând multe întreprinderi să rămână cu pierderi. Cheltuielile de capital din industrie sunt enorme și presiunea deprecierii este mare; chiar și cu creșterea veniturilor, întreprinderile pot rămâne încă cu pierderi pentru o lungă perioadă de timp.
6.4 Risc privind brevetele și comerțul internațional
Liderii de peste mări dețin un număr mare de brevete de bază pentru substraturi și dispozitive SiC, iar întreprinderile naționale se confruntă cu riscuri de litigii în materie de brevete; controalele exporturilor de semiconductori și barierele comerciale în străinătate afectează extinderea întreprinderilor autohtone către clienți de peste mări și importurile de echipamente și materiale.
6.5 Risc de certificare
Ciclurile de certificare pentru dispozitivele de calitate auto și industriale sunt lungi. După investirea unor fonduri substanțiale de cercetare și dezvoltare, eșecul în certificarea clienților sau desemnările întârziate vor afecta direct comercializarea proiectului.
VII. Concluzie
Fiind o pistă de bază a semiconductorilor compuși de a treia generație, carbura de siliciu (SiC) a experimentat o reducere brutală a capacității în 2025 și a inaugurat un punct de inflexiune al prosperității structurale. Logica de creștere a trecut de la un singur vehicul cu energie nouă la rezonanța cu mai multe căi a vehiculelor cu energie nouă + surse de energie de calcul AI + stocare de energie fotovoltaică. Pe termen scurt, industria prezintă o diferențiere structurală între cerere și ofertă: produsele auto de înaltă calitate sunt în lipsă, în timp ce produsele low-end continuă să sufere o concurență intensă; pe termen mediu și lung, reducerea costurilor la scară largă de 8 inchi și înlocuirea internă sunt liniile principale, iar sursele de alimentare AI de calcul deschid plafonul de creștere pe termen lung al industriei.
Lanțul industrial al Chinei a realizat progrese globale în segmentul de substrat, în timp ce segmentele de epitaxie, dispozitive și module continuă să ajungă din urmă, dar certificarea, randamentul, costul și brevetele de calitate auto rămân deficiențe principale. La nivel de investiții, spațiul de creștere pe termen lung al pistei este sigur, dar industria este o pistă cu cheltuieli mari de capital, cu ciclu lung de verificare și nu este potrivită pentru pur și simplu urmărirea conceptelor de capacitate. Criterii de bază pentru verificarea țintelor de investiții: randament ridicat, indicatori de defecte scăzute, desemnări de clienți fruntași, implementarea certificării de calitate auto și o curbă de cost controlabilă. Acordați prioritate aspectului în segmente cu barieră înaltă, cum ar fi substraturile din amonte, echipamentele de creștere a cristalului, epitaxie de calitate auto și module de putere și evitați proiectele fără clienți de bază, cu randament scăzut și bazându-se exclusiv pe scara capacității. În același timp, este necesar să urmăriți în mod continuu variabile-cheie, cum ar fi vânzările de vehicule cu energie noi, cheltuielile de capital cu inteligența artificială, creșterea randamentului de 8 inchi și politicile comerciale și de brevete în străinătate pentru a preveni fluctuațiile ciclice și riscurile de industrializare care nu corespund așteptărilor.